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容性設備介質(zhì)損耗帶電檢測裝置

容性設備介質(zhì)損耗帶電檢測裝置

簡要描述:
HN2000容性設備介質(zhì)損耗帶電檢測裝置

更新時間:2021-09-03

訪問量:635

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

生產(chǎn)地址:上海

一、產(chǎn)品概述

在電網(wǎng)中運行的高壓電氣設備,如果其內(nèi)部存在因制造不良、老化及外力破壞等因素造成的絕緣缺陷,就會發(fā)生影響高壓設備和電網(wǎng)正常運行的絕緣事故。為防止此類重大安全事故的發(fā)生,目前采用的傳統(tǒng)做法是在設備投運后,定期停電進行預防性試驗和檢修,以便及時檢測出設備內(nèi)部的絕緣缺陷。但停電預防性試驗的試驗條件與運行狀態(tài)相差較大,因此不易正確診斷出高壓設備在運行情況下的絕緣狀況,更難以發(fā)現(xiàn)在兩次預防性試驗間隔之間形成的缺陷,這將直接影響到預防性試驗的試驗效果。同時隨著國民經(jīng)濟的發(fā)展,全社會對電力供應的可靠性和減少停電時間的要求越來越高;電力系統(tǒng)規(guī)模的逐漸發(fā)展壯大,傳統(tǒng)的定期停電預防性試驗由于存在費時、費力及試驗效果不理想等諸多弊端而明顯不能滿足電網(wǎng)安全、可靠和高效運行的要求,因此對電氣設備運行實施自動監(jiān)控及絕緣狀況在線監(jiān)測,實現(xiàn)狀態(tài)檢修已經(jīng)成為未來高壓設備試驗的必然發(fā)展方向。

在變電站高壓設備中,容性設備(如套管、CT、CVT、耦合電容器等)的數(shù)量占40%~50%,其自身的絕緣性能是關(guān)系到設備現(xiàn)場安全運行的重要技術(shù)指標。容性設備的絕緣劣化是一個漸變的過程,但如不及時發(fā)現(xiàn)并檢修,就可能導致套管發(fā)生故障進而引發(fā)突發(fā)性故障,造成巨大的直接、間接經(jīng)濟損失。變電站容性設備絕緣狀況的帶電監(jiān)測,通常可采用集中(固定)在線監(jiān)測和分散(便攜)帶電測量兩種方式實現(xiàn)。

HN2000容性設備介質(zhì)損耗帶電檢測裝置屬于帶電測量的產(chǎn)品,與在線監(jiān)測設備相比它主要有以下優(yōu)點:

(1) 投資小;

(2) 便于安裝,只在容性設備末屏和地線之間安裝取樣單元;

(3) 運行穩(wěn)定、日常維護量極小;

(4) 可以進行相對測量,不受現(xiàn)場干擾和環(huán)境的影響;

(5) 可根據(jù)設備狀態(tài)選擇不同測量時間間隔。

二、功能特點

3.1安全、方便。 儀器內(nèi)置高精度穿心結(jié)構(gòu)電流傳感器,安裝后不對原系統(tǒng)進行改變,不會造成設備失地的危險;

3.2取樣單元輸入阻抗極低,可耐受20A工頻電流的作用以及10kA雷電流的沖擊,信號處理電路采用了*的異頻自校技術(shù),對傳感器精度進行動態(tài)校驗,可*排除母線諧波分量對測量結(jié)果的影響。因此儀器可準確檢測100μA—700mA范圍內(nèi)的微弱電流信號,并能通過外部串接電阻的方式實現(xiàn)對電壓信號的測量;

3.3可以提供兩種介質(zhì)損耗在線檢測方式,既可測量兩個同相電容型設備的介質(zhì)損耗差值和電容量比值,又可用PT二次側(cè)電壓作基準信號,對設備的電容量及介質(zhì)損耗值進行測量,現(xiàn)場使用操作靈活、方便;

3.4檢測儀的主控采用先進的ARM嵌入式計算機系統(tǒng),該CPU具有運算速度快,功能強大及抗干擾能力強等優(yōu)點,可以保證儀器現(xiàn)場工作時具有良好的穩(wěn)定性能;

3.5完善的電磁屏蔽措施和先進的數(shù)字處理技術(shù),可確保介質(zhì)損耗測試結(jié)果不受諧波干擾及脈沖干擾的影響,具有高達±0.05%的檢測精度;

3.6采用便攜式設計結(jié)構(gòu),操作使用極為簡單;機內(nèi)自帶蓄電池,在一次充滿后,即使是在現(xiàn)場沒有市電的情況下,仍可以連續(xù)工作8小時,*現(xiàn)場使用的要求。
三、技術(shù)指標

整 機 參 數(shù)

外形尺寸

   360×410×180(mm)

儀器重量

   6kg

顯示方式

大屏幕液晶顯示器,特別適合戶外使用

充電電源

   AC 220V, 50±1Hz

環(huán)境溫度

   -25℃~45℃

相對濕度

   當溫度為25℃時不大于90%(無凝露)

充電時間

   10~12小時








 

 

測量范圍及精度

電流測量

測量范圍

Ix=100μA~700mA   In=100μA~700mA

測量精度

±(0.5%+1字)

電壓測量

測量范圍

Vn=3V~300V

測量精度

±(0.5%+1字)

注: 獲取PT二次信號時建議使用PT取樣保護單元盒

介質(zhì)損耗

測量范圍

Tanδ=-200%~200%

測量精度

±0.05%

電容比值

測量范圍

Cx:Cn=1:1000~1000:1

測量精度

±(0.5%C +1字)

電容量

測量范圍

Cx=10pF~0.5μF

測量精度

±(0.5%C+2pF


 

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